STP14N80K5

在追求更高能效和更可靠电源设计的道路上，您是否曾为高压开关应用中的损耗和散热问题所困扰？现在，一颗集高性能与高可靠性于一身的功率器件，正为您带来全新的解决方案。它就是来自ST意法半导体的STP14N80K5。这款N沟道MOSFET以其800V的卓越耐压能力和高达12A的连续漏极电流，为您的设计提供了坚实的基石，让您在应对严苛工况时充满信心。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，每一次开关动作都要求精准且高效。STP14N80K5正是为此而生。它采用了ST先进的MDmesh K5技术，这项技术通过优化单元结构和工艺，在保持超快开关速度的同时，显著降低了导通电阻。这意味着在相同的电流下，芯片自身的功耗更小，产生的热量也更少。对于系统设计师而言，这不仅直接提升了整机效率，更能简化散热设计，降低系统复杂度和总体成本，让产品在市场上更具竞争力。

为何众多工程师在高压开关电源项目中青睐这颗芯片？答案在于其卓越的综合性能与易用性。高达130W的功率耗散能力，配合TO-220这种经典且散热优良的封装，确保了它在高功率场景下的稳定运行。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着驱动它所需的能量更少，这让驱动电路的设计变得更为轻松，有助于进一步提升系统开关频率和功率密度。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，则保证了其在各种极端环境下的出色可靠性。当您需要稳定可靠的供货和技术支持时，可以随时联系专业的ST代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。

选择STP14N80K5，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种致力于提升能效、保障可靠性的设计哲学。它让您的电源系统运行得更冷静、更高效、更持久，最终帮助您打造出在性能和质量上都脱颖而出的终端产品。立即将它纳入您的设计库，开启高效电源的新篇章。

• 型号:STP14N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:445 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP14N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。