STP14NK60Z

当您需要一款能够在高压环境下稳定运行，同时兼顾高效能与可靠性的功率开关器件时，您会如何选择？答案或许就藏在STP14NK60Z这颗来自ST意法半导体的经典N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统能效、简化设计并确保长期稳定性的得力助手。凭借其高达600V的漏源电压和13.5A的连续漏极电流能力，它为您的电源和电机驱动应用提供了坚实的性能基础，让您在面对严苛工况时充满信心。

想象一下，无论是家用电器中的开关电源、工业自动化中的电机控制，还是照明系统的驱动电路，STP14NK60Z都能完美融入。其采用的SuperMESH技术，是ST的匠心之作，旨在显著降低导通电阻，从而最大限度地减少开关过程中的功率损耗。这意味着您的设备不仅能更高效地运行，还能有效控制温升，延长整体使用寿命。在追求绿色节能的今天，选择这样一颗芯片，就是为您的产品注入了高效节能的基因，直接提升了产品的市场竞争力。

为什么众多工程师在面临选型时会青睐它？原因在于其卓越的平衡性。它拥有低至500毫欧的导通电阻，结合优化的栅极电荷特性，确保了快速、干净的开关动作，这对于提升系统频率响应和降低电磁干扰至关重要。TO-220AB的经典封装形式，不仅提供了出色的散热能力，也便于安装和测试。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的应用验证以及通过正规ST一级代理渠道仍可获得的稳定库存，使其成为许多经典设计升级或维护的可靠选择。它代表的是一种经过时间考验的价值用卓越的性能参数和稳定的品质，守护您产品的每一分投入。

• 型号:STP14NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2220 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP14NK60Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。