STP14NK60ZFP

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，工程师们是否常常面临开关损耗与系统稳定性的两难抉择？现在，一个兼具高性能与卓越耐用性的解决方案已经到来STP14NK60ZFP。这款来自ST意法半导体的SuperMESH系列功率MOSFET，正是为突破传统限制、释放系统潜能而精心打造。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动控制板中，一颗芯片需要承受高达600V的电压冲击，同时以极低的导通损耗处理持续的电流。这正是STP14NK60ZFP的舞台。其13.5A的连续漏极电流能力和仅为500毫欧的超低导通电阻，意味着在能量转换过程中，更多的电能被高效传递，而非以热量的形式白白浪费。这种高效能直接转化为更低的温升、更小的散热器需求以及更长的系统寿命，让您的设计在照明镇流器、工业电源或家用电器逆变器等严苛应用中游刃有余，稳定运行。

选择STP14NK60ZFP，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其TO-220FP封装不仅提供了优异的通孔安装可靠性，更确保了在高达150°C结温下的稳定工作能力，适应从-55°C到150°C的宽广温度范围，无惧环境挑战。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，显著降低了驱动电路的负担，让开关速度更快，系统整体频率得以提升，设计更加灵活。当您需要可靠的原厂正品与专业的技术支持时，可以信赖我们的合作伙伴专业的ST代理商，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STP14NK60ZFP成为您下一个成功项目的坚实基石，开启高效、可靠、节能的电源新纪元。

• 型号:STP14NK60ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2220 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP14NK60ZFP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。