STP14NM50N

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否正在寻找一颗能够兼顾高耐压、低损耗与出色热管理的功率开关解决方案？今天，我们为您隆重介绍意法半导体MDmesh II系列中的明星产品STP14NM50N。这颗N沟道功率MOSFET以其500V的卓越耐压能力和12A的连续漏极电流，为您的高压应用注入强大而稳定的动力核心，让系统设计从起点就赢在起跑线上。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是电机驱动与照明镇流器中，STP14NM50N正发挥着关键作用。它凭借MDmesh II专利技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)），在6A电流、10V驱动电压下仅320毫欧，这意味着更少的导通损耗和更低的发热量，直接转化为更高的系统效率和更长的产品寿命。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关过程更为迅速、干净，显著降低了开关损耗，使得整个电源系统运行起来既安静又高效。

选择STP14NM50N，就是选择了一份从容与安心。它采用经典的TO-220封装，不仅便于安装和散热，其高达90W的功率耗散能力（Tc）和宽广的-55°C至150°C结温工作范围，确保了它在严苛环境下依然稳定可靠。无论您的项目面临怎样的热挑战，它都能轻松应对。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的ST芯片代理服务团队随时待命，为您提供从选型到量产的一站式支持。让这颗集高性能、高可靠性于一体的功率器件，成为您下一个成功产品的坚实基石。

• 型号:STP14NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP14NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。