STP150N3LLH6

想象一下，您的下一个电源转换或电机驱动项目，是否还在为开关损耗过高、散热设计复杂而烦恼？当效率每提升1%都意味着巨大的市场竞争力和成本优势时，选择一颗性能卓越的功率开关器件至关重要。今天，我们为您带来一个经过市场验证的高效解决方案STP150N3LLH6。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其卓越的导通性能和可靠性，正在重新定义30V应用领域的效率标准。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具里需要瞬间爆发大电流的电机驱动，甚至是汽车辅助系统中不容有失的负载开关，STP150N3LLH6都能游刃有余。它高达80A的连续漏极电流承载能力和低至3.3毫欧的导通电阻，意味着在相同的输出功率下，它能将更多的电能输送给负载，而非转化为令人头疼的热量。其采用的DeepGATE和STripFET VI技术，确保了在4.5V的低栅极驱动电压下就能实现优异的导通特性，让您的驱动电路设计更简单，系统整体能效更高。宽广的-55°C至175°C结温工作范围，赋予了它应对极端环境挑战的底气，保障设备长期稳定运行。

为什么在众多选择中，STP150N3LLH6值得您重点关注？答案在于它带来的综合价值。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）显著降低了开关损耗，让高频开关应用不再是能效“黑洞”，助力您的产品轻松满足日益严格的能效法规。经典的TO-220AB封装不仅成熟可靠，便于安装和散热处理，也大幅降低了供应链风险。虽然该型号已处于停产状态，但通过可靠的ST中国代理渠道，您依然可以获得稳定优质的货源和全面的技术支持，确保项目顺利进行与后续维护无忧。选择它，就是选择了一份经过时间淬炼的稳定与高效，为您的产品注入强大的核心动力。

• 型号:STP150N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4040 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP150N3LLH6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。