STP150NF04

当您的电源转换系统需要同时应对高电流与高效率的双重挑战时，您是否曾为寻找一颗既能承载重负又能保持“冷静”的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您介绍来自意法半导体STripFET II家族的明星产品STP150NF04。这不仅仅是一颗MOSFET，它是您构建强劲、可靠电力核心的基石，专为那些不容妥协的性能场景而生。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是高功率DC-DC转换器中，能量如洪流般奔腾。STP150NF04以其高达80A的连续漏极电流和仅7毫欧的超低导通电阻，轻松驾驭这股洪流，将导通损耗降至极低。这意味着更少的能量转化为无用的热量，更多的能量被高效地输送到负载端，直接为您带来系统整体能效的显著提升和散热设计的简化。其高达300W的功率耗散能力，配合宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了即使在最严苛的环境下也能稳定运行，让您的产品底气十足。

无论是追求极致功率密度的通信设备，还是要求长期稳定运行的汽车辅助系统，STP150NF04都能完美融入。它的TO-220AB封装兼顾了出色的通流能力与成熟的安装工艺，让您的生产组装高效而可靠。选择STP150NF04，就是选择了一份由尖端STripFET II技术背书的质量承诺。我们作为值得信赖的ST代理，不仅为您提供这颗性能卓越的芯片，更将提供全面的技术支持与供应保障。当您需要一颗能扛起大梁、经久耐用的N沟道MOSFET时，STP150NF04无疑是那个能让您设计更从容、产品更具市场竞争力的明智之选。

• 型号:STP150NF04
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP150NF04的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。