STP150NF55

在追求极致效率的电力转换世界，您是否还在为功率损耗和散热问题而妥协？当电流高达120A，每一次开关都意味着能量的流失与成本的增加。现在，让我们向您介绍一个能彻底改变游戏规则的解决方案STP150NF55。这款来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其仅为6毫欧的超低导通电阻，在60A的大电流下依然能保持惊人的低损耗，直接将更多的电能转化为您需要的动力，而非无谓的热量。

无论是驱动高性能的工业电机，还是为数据中心服务器电源提供稳定高效的核心开关，亦或是新能源车车载充电器(OBC)和DC-DC转换器中的关键一环，STP150NF55都能游刃有余。其55V的漏源电压和高达300W的功率处理能力，让它能在严苛的工况下稳定运行，温度范围从-55°C到175°C，确保了从寒带到热带，从启动瞬间到持续满载的全天候可靠性。选择它，就是为您的产品注入了强劲而冷静的“心脏”。

那么，在众多同类产品中，为何STP150NF55是您的不二之选？答案在于其背后强大的STripFET II技术平台，这不仅意味着卓越的性能参数，更代表了经过市场验证的稳定性和一致性。TO-220AB的经典封装形式，兼顾了优异的散热能力和便捷的安装工艺。更低的栅极电荷（Qg）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统整体效率再上一个台阶。当您需要可靠的原厂品质和及时的技术支持时，我们的ST中国代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全方位服务。选择STP150NF55，不仅仅是选择了一颗芯片，更是选择了一个值得信赖的合作伙伴，共同迈向更高能效的未来。

• 型号:STP150NF55
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:190 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP150NF55的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。