STP15N80K5

当您的电源设计面临效率瓶颈与散热挑战时，是否渴望找到一款兼具高耐压与低损耗的可靠开关解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体SuperMESH5家族的明星产品STP15N80K5。这款N沟道功率MOSFET以其高达800V的漏源电压和14A的连续漏极电流，为您的高压、大功率应用筑起一道坚固的性能防线。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效、实现设计精简化的得力引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、UPS不间断电源或高效照明镇流器中，STP15N80K5正以其卓越表现大放异彩。其核心魅力在于SuperMESH5技术的加持，将导通电阻（RDS(on)）在10V驱动下显著降低至仅375毫欧。这意味着在相同的电流下，芯片自身的导通损耗被大幅削减，更多的电能被高效地输送给负载，而非转化为无谓的热量。更低的损耗直接带来了更低的温升和更高的系统可靠性，让您的产品在长时间满负荷运行时依然保持冷静与稳定。

选择STP15N80K5，就是选择了一份从容与信心。它高达190W的功率耗散能力，配合经典的TO-220封装，为散热设计提供了极大的便利和灵活性。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，意味着它开关迅速、驱动简单，能有效降低开关损耗并减轻驱动电路的负担，从而帮助您简化外围电路设计，降低整体BOM成本。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作。无论您是设计新一代高效电源，还是升级现有功率转换单元，这颗芯片都是您实现高性能、高可靠性目标的理想基石。如需获取样品或技术支持，请联系专业的ST代理商，他们将为您提供全方位的服务。

• 型号:STP15N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 14A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:375 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP15N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。