STP15N95K5

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，工程师们是否常常面临高压、高功率场景下的性能瓶颈与散热挑战？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STP15N95K5。这款来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，以其950V的超高耐压和12A的连续漏极电流能力，为您的高压开关应用注入强劲动力。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键伙伴。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、UPS不间断电源乃至高功率LED照明和适配器等严苛的应用场景中，系统需要稳定处理数百伏的电压并承受频繁的开关动作。STP15N95K5正是为此而生。它采用先进的SuperMESH5技术，将导通电阻（Rds(on)）显著降低，在6A电流、10V驱动电压下最大值仅为500毫欧。这意味着更低的传导损耗，电能得以更高效地传输，而非浪费在发热上。同时，其优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速、干净的开关切换，有效减少了开关损耗，让您的系统整体效率跃升新台阶，运行更凉爽、更安静。

选择STP15N95K5，就是选择了一份从容与安心。它高达170W（Tc）的功率耗散能力，配合经典的TO-220封装，为散热设计提供了坚实基础，确保器件在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作。无论是应对突发的浪涌电流，还是长期满负荷运行，其卓越的坚固性和一致性都经得起考验。为了确保您能获得原装正品与及时的技术支持，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理进行采购。让这颗凝聚尖端技术的MOSFET，成为您下一个成功产品的强大心脏，助您轻松驾驭高压世界，释放无限潜能。

• 型号:STP15N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP15N95K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。