STP160N4LF6

在追求极致效率的电源与电机驱动设计中，您是否曾为功率器件的导通损耗和散热问题而困扰？想象一下，一款能够在高电流下保持超低导通电阻的MOSFET，将如何彻底改变您的系统性能与热管理格局。今天，我们向您隆重介绍意法半导体的卓越解决方案STP160N4LF6，它正是为应对此类挑战而生的性能标杆。

这颗采用先进STripFET VI技术的N沟道MOSFET，绝非普通功率开关。其核心魅力在于，在10V驱动电压下，仅需2.9毫欧的超低导通电阻，便能轻松驾驭高达120A的连续电流。这意味着什么？意味着在您的DC-DC转换器、电机驱动板或大电流开关电源中，由导通产生的热量将被大幅抑制，系统效率得以显著跃升，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。其高达150W的功率耗散能力，配合宽广的-55°C至175°C工作结温，确保了即使在严苛环境下也能稳定可靠地运行。

无论是服务器电源中要求苛刻的同步整流，还是电动工具、无人机电调中需要爆发力与持续性的电机驱动，亦或是工业自动化设备里的大电流负载开关，STP160N4LF6都能游刃有余。它那40V的漏源电压和仅需5V即可实现优异导通特性的低阈值电压，使其成为48V以下系统架构的理想选择。经典的TO-220封装，兼顾了优异的散热性能与工程师熟悉的安装工艺，大大降低了从设计到量产的过渡门槛。

选择STP160N4LF6，您选择的不仅仅是一颗高性能MOSFET，更是一份对系统可靠性、能效与成本效益的坚实承诺。它让您在缩小散热器尺寸、简化热设计的同时，依然能交付峰值性能。我们作为值得信赖的ST一级代理，不仅为您提供原装正品保障，更能带来专业的技术支持与灵活的供应链服务，助您将这款强大的芯片价值，快速、无缝地融入您的下一个成功产品之中。

• 型号:STP160N4LF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.9 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:181 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8130 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP160N4LF6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。