STP160N75F3

在追求极致效率与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为寻找一颗能在高电流下保持低损耗、同时具备出色热管理能力的MOSFET而反复权衡？今天，我们为您带来一个无需妥协的答案STP160N75F3。这颗来自意法半导体STripFET家族的明星产品，以其高达120A的连续漏极电流和仅4毫欧的超低导通电阻，重新定义了75V电压等级下的性能标杆。它不仅仅是一个开关，更是您释放系统潜能、提升整体能效的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，能量转换的每一分损耗都意味着成本的增加和热管理的挑战。STP160N75F3正是为此类严苛应用而生。其卓越的STripFET技术确保了极低的栅极电荷（仅85nC）和输入电容，这意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统在高频运行时依然游刃有余。无论是面对电动汽车充电桩的快速能量吞吐，还是不间断电源（UPS）中要求毫秒级响应的切换，它都能提供稳定、高效的性能表现，将电能精准、顺畅地输送到需要的地方。

选择STP160N75F3，就是选择了一份经得起考验的可靠性。其坚固的TO-220AB封装能够承受高达330W的功率耗散，结合-55°C至175°C的宽广工作结温范围，确保它在各种环境压力下都能稳定运行。这背后是意法半导体对品质的严苛把控。当您通过值得信赖的ST授权代理进行采购时，您获得的不仅是一颗芯片，更是从源头保障的正品、完整的技术支持以及稳定的供应链，让您的产品从设计到量产全程无忧。让STP160N75F3成为您下一个成功项目的强大心脏，共同开启高效、可靠的能量新纪元。

• 型号:STP160N75F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6750 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP160N75F3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。