STP165N10F4

在追求极致效率的电力转换世界，您是否还在为功率损耗和散热问题而妥协？当电流高达120A，电压达到100V的应用场景摆在面前，选择一颗怎样的MOSFET，才能让您的设计既保持冷静，又释放全部潜能？答案就藏在STP165N10F4这颗性能猛兽之中。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器的核心位置，电流奔腾不息。传统的MOSFET在此重压下，导通电阻带来的热量如同无形的枷锁，限制了系统的整体效率和可靠性。而STP165N10F4的到来，彻底打破了这一僵局。它凭借ST意法半导体先进的STripFET和DeepGATE技术，将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压下压降至惊人的5.5毫欧（@60A）。这意味着更低的传导损耗，更少的热量产生，直接为您带来更高的能源转换效率和更简洁的散热设计。高达315W（Tc）的功率耗散能力，配合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，确保了它在严苛环境下依然稳定如山。

无论是驱动高性能的BLDC电机，构建高效率的太阳能逆变器，还是为不断电电源（UPS）和焊接设备提供强劲的开关核心，STP165N10F4都能轻松胜任。它的TO-220AB封装兼顾了功率处理能力和安装便利性，是通孔安装应用的经典可靠之选。这颗芯片不仅仅是一个开关，它是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键赋能者。更低的损耗意味着更小的散热器、更紧凑的布局，最终让您的终端产品在能效、体积和可靠性上全面领先。

选择STP165N10F4，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。其卓越的电气特性，如优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于简化驱动电路设计，实现更快更干净的开关，从而减少开关损耗，进一步提升系统频率和动态响应。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，可以信赖专业的ST中国代理，他们能为您提供从选型到量产的全方位服务。让STP165N10F4成为您下一个爆款产品的“强力心脏”，开启高效、可靠、节能的电力电子新篇章。

• 型号:STP165N10F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP165N10F4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。