STP16N50M2

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否还在为开关损耗和热管理问题而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STP16N50M2。这颗源自ST意法半导体MDmesh M2家族的N沟道功率MOSFET，以其500V的耐压和13A的连续电流能力，早已成为众多工程师心中高效开关的代名词。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品性能、降低系统复杂度的关键钥匙。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是电机驱动应用中，STP16N50M2能够轻松应对高电压环境。其280毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下更小的能量损耗，直接将效率提升转化为可观的成本节约和更长的运行时间。无论是工业变频器、UPS不同断电源，还是照明镇流器，这颗芯片都能提供稳定而强劲的动力核心，确保您的设备在严苛环境下依然表现卓越。

为什么在众多选择中，STP16N50M2值得您信赖？答案在于其背后强大的MDmesh M2技术。这项技术优化了单元结构，在保持高速开关特性的同时，显著降低了栅极电荷（Qg）和输出电容，这使得驱动更简单、开关速度更快，整体系统响应更为敏捷。TO-220的经典封装提供了出色的散热能力，最大110W的功率耗散让热设计游刃有余。虽然该型号目前已停产，但其成熟的设计和可靠的性能记录，使其在存量市场与特定升级项目中依然极具价值。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈推荐您通过官方授权的ST一级代理进行采购，为您的项目成功加上双重保险。

• 型号:STP16N50M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 13A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:710 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP16N50M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。