STP16N60M2

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和系统稳定性而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的功率器件STP16N60M2。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh M2技术家族的杰出代表，专为应对严苛的高压、高频应用挑战而生。其600V的漏源电压和12A的连续漏极电流能力，为您的设计提供了坚实的性能基础，而极低的导通电阻（仅320毫欧）意味着更少的能量以热量形式浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运营成本。

想象一下，在开关电源（SMPS）、照明镇流器或电机驱动等核心应用中，STP16N60M2如何大显身手。它卓越的开关特性，得益于优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），能够显著降低开关损耗，让您的电源设计在更高频率下稳定运行，从而缩小磁性元件的体积，实现产品的小型化和轻量化。无论是工业自动化设备中的电机控制，还是消费类电子产品的适配器，这颗芯片都能提供稳定、高效的功率转换核心，确保终端产品性能出众，寿命持久。

选择STP16N60M2，就是选择了一份经得起考验的可靠保障。其TO-220封装不仅便于安装和散热，更能承受高达110W的功率耗散和150°C的结温，确保在恶劣环境下依然坚如磐石。当您需要可靠的货源和技术支持时，遍布全球的授权ST代理商网络随时准备为您服务，从选型到量产，全程护航。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的战略伙伴。立即采用STP16N60M2，为您的下一个设计注入高效与可靠的核心动力！

• 型号:STP16N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP16N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。