STP16N65M5

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和系统稳定性而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案意法半导体MDmesh V系列中的明星产品：STP16N65M5。这款650V、12A的N沟道功率MOSFET，凭借其革命性的超结技术，将功率转换效率提升到了全新高度，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动应用中，STP16N65M5能够轻松应对高达650V的漏源电压挑战。其低至299毫欧的导通电阻（Rds(on)）意味着更低的传导损耗，而优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则显著降低了开关损耗。这不仅仅是参数的提升，更是实实在在的能效飞跃和温升的降低，让您的系统运行更凉爽、更持久。无论是工业变频器、UPS不间断电源，还是LED照明驱动和适配器，它都能成为您设计核心中那颗高效、可靠的“心脏”。

选择STP16N65M5，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺。MDmesh V技术确保了其在高压环境下依然拥有卓越的开关性能和坚固性。TO-220-3的经典封装提供了出色的功率耗散能力（高达90W），并且便于安装和散热处理。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，让它无惧严苛环境挑战。当您需要将这份卓越性能集成到您的下一个伟大设计中时，可以联系专业的ST代理商，获取全面的技术支持和可靠的供货保障。让STP16N65M5赋能您的创意，共同开启高效、可靠的电力世界新篇章。

• 型号:STP16N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP16N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。