STP170N8F7

在追求极致能效的电力转换系统中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够在80V电压下承载120A强劲电流的功率开关，其导通电阻低至惊人的3.9毫欧，这不仅仅是参数的提升，更是系统效率的革命性飞跃。今天，我们为您带来的STP170N8F7，正是这样一颗源自意法半导体STripFET F7系列的卓越N沟道MOSFET，它专为挑战高性能应用的极限而生。

当您将它应用于服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器时，其超低的Rds(on)特性将直接转化为更少的能量损耗和更低的温升。这意味着您的设备可以运行得更凉爽、更安静，同时显著提升整体能效比，在激烈的市场竞争中赢得关键的节能优势。无论是面对严苛的工业环境还是需要7x24小时不间断运行的通信基站，其宽广的-55°C至175°C结温工作范围都提供了坚实的可靠性保障。

选择STP170N8F7，就是选择了一种经过验证的高性能解决方案。它不仅仅是一个组件，更是您产品稳定性和竞争力的基石。其TO-220封装兼顾了优异的功率耗散能力（高达250W）与成熟的安装工艺，让您的生产集成轻松高效。更重要的是，通过我们专业的ST中国代理，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，更能得到从选型支持到技术咨询的全方位服务，确保您的项目从设计到量产一路畅通。现在就拥抱这颗高效能芯片，让它为您的下一个设计注入强劲动力，开启能效新纪元。

• 型号:STP170N8F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.9 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8710 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP170N8F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。