STP17N80K5

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当面对800V高压应用时，传统的MOSFET往往在导通损耗、开关速度和热管理之间难以平衡。现在，STP17N80K5的到来，正是为了打破这一僵局。它不仅仅是一个组件，更是您系统迈向更高功率密度和卓越效率的强力引擎。

源自意法半导体备受赞誉的MDmesh K5技术平台，这颗高压N沟道MOSFET将卓越的电气特性集于一身。其340毫欧的超低导通电阻（在7A, 10V条件下），意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，更多的电能被高效地输送到负载端，而非转化为无谓的热量。高达170W（Tc）的功率耗散能力，配合TO-220封装优秀的散热特性，让它在严苛的持续工作环境中也能保持冷静与稳定，有效延长系统寿命。无论是工业电机驱动中需要承受频繁启停的冲击，还是开关电源（SMPS）中要求快速精准的功率切换，它都能游刃有余地应对。

想象一下，在您的服务器电源、工业焊接设备、不间断电源（UPS）或新能源充电模块中，STP17N80K5正在核心位置默默发力。它那800V的漏源电压额定值，为系统提供了充裕的电压裕度，增强了在电网波动或感性负载关断时的可靠性。仅26nC的低栅极电荷，使得驱动电路的设计更为简单高效，开关速度更快，从而降低了开关损耗，尤其适合高频化的现代电源拓扑。这意味着您的终端产品不仅能通过更严格的能效标准，还能在体积和成本上获得优化空间。选择它，就是选择了一份经过市场验证的稳定与高效，通过我们专业的ST代理渠道，您将获得从选型支持到稳定供货的全方位服务保障。

归根结底，选型决策关乎产品的核心竞争力。当您需要一款能在高压、高电流场景下持续提供优异性能的功率开关时，STP17N80K5以其平衡而强大的参数表现，成为了一个无需犹豫的答案。它不仅仅满足了纸面上的规格需求，更通过意法半导体的先进工艺和可靠品质，为您的设计注入了持久的生命力。让它成为您下一个成功项目的坚实基石，共同开启高效电能转换的新篇章。

• 制造商产品型号：STP17N80K5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 800V 14A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh K5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：800V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：340 毫欧 @ 7A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：26nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：866pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：170W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• STP17N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。