STP180N55F3

在追求极致效率的电力转换世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？当每一瓦的功率都关乎系统成败，选择一颗真正强悍的MOSFET就是制胜关键。今天，我们向您隆重介绍一款能够重新定义高性能标准的功率器件STP180N55F3。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、释放系统潜能的动力引擎。

想象一下，在严苛的工业电机驱动中，频繁的启停和负载变化对功率开关器件是巨大的考验。STP180N55F3凭借其惊人的120A连续漏极电流承载能力和低至3.8毫欧的超低导通电阻，能够轻松应对高峰值电流，将导通损耗降至最低，这意味着更低的温升、更高的可靠性和更长的系统寿命。无论是伺服驱动器、变频器，还是大功率的DC-DC转换器和UPS不间断电源，它都能提供稳定、高效的功率开关解决方案，让您的设备在激烈的市场竞争中始终保持冷静与强悍。

为何众多工程师在面临高电流、高频率应用挑战时，会毫不犹豫地选择它？答案在于其背后ST意法半导体引以为傲的STripFET技术。这项技术优化了芯片内部结构，在保持高耐压（55V）的同时，实现了栅极电荷（Qg）与导通电阻（Rds(on)）的卓越平衡。更低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升开关电源的频率和效率至关重要。而高达330W的功率耗散能力，配合TO-220AB封装优秀的散热特性，让系统设计更加游刃有余。当您需要可靠的技术支持和本土化服务时，我们的ST中国代理团队随时待命，为您提供从选型到应用的全方位支持，确保您的创意从蓝图完美走向现实。

选择STP180N55F3，就是选择了一份对卓越性能的承诺。它用实实在在的参数从-55°C到175°C的宽广工作结温范围，到±20V的坚固栅极耐压证明了其在极端环境下的稳定性和耐用性。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次为您的产品注入持久动力与可靠基因的战略投资。让它成为您下一个明星产品的核心，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STP180N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP180N55F3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。