STP18N55M5

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否还在为高压大电流应用中的开关损耗和散热问题而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STP18N55M5。这款来自意法半导体MDmesh V家族的N沟道功率MOSFET，以其550V的漏源电压和16A的连续漏极电流能力，为您的高压开关应用树立了新的性能标杆。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统效率、简化热管理设计的得力助手。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高效LED照明驱动器中，STP18N55M5正发挥着核心作用。其先进的MDmesh V技术带来了极低的导通电阻（典型值远低于192毫欧），这意味着在传导过程中产生的热量更少，能量浪费被大幅削减。更低的栅极电荷（Qg最大值仅31nC）则确保了快速、干净的开关动作，显著降低了开关损耗，让您的系统即使在频繁开关的高频工况下，也能保持冷静与高效。无论是面对严苛的工业环境，还是追求极致能效的消费类产品，它都能游刃有余。

选择STP18N55M5，就是选择了一份安心与超越。其高达110W的功率耗散能力和150°C的结温，赋予了它强大的过载和高温耐受性，系统稳定性得到坚实保障。经典的TO-220AB封装，不仅便于安装和散热处理，也经过了市场的长期验证，可靠性毋庸置疑。当您需要稳定、高品质的ST产品供应时，我们的ST一级代理身份确保了正品货源与有竞争力的价格，为您从研发到量产的全流程保驾护航。让STP18N55M5成为您下一个成功设计的强大引擎，共同开启高效、可靠的电力转换新篇章。

• 型号:STP18N55M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 16A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:192 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1260 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP18N55M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。