STP18N60DM2

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？现在，我们为您带来一个决定性的解决方案STP18N60DM2。这款来自ST意法半导体的高性能功率MOSFET，凭借其革命性的MDmesh DM2技术，将600V的耐压能力与超低的导通电阻完美结合，为您开启高效能、高可靠性的电源设计新篇章。它不仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或是高功率LED照明驱动这些严苛的应用场景中，STP18N60DM2都能游刃有余。其12A的连续漏极电流和仅为295毫欧的超低导通电阻，意味着在相同输出功率下，它能显著减少导通损耗，让电能转换更纯粹，热量产生更少。这直接转化为更小的散热器尺寸、更简洁的系统布局，以及最终产品更长的使用寿命和更高的市场吸引力。无论是应对频繁启停的电机控制，还是需要稳定输出的开关电源，它都能提供坚实而高效的性能基石。

选择STP18N60DM2，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关过程更快、更干净，进一步降低了开关损耗，提升了整体系统频率和功率密度。TO-220的经典封装形式，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装工艺。当您致力于打造下一款明星产品时，这颗芯片就是您可靠的后盾。为了确保您能便捷地获得这款优质器件及其完善的技术支持，我们推荐您通过官方授权的ST代理商进行采购，从而保障货源的正品性与供应链的稳定性。立即采用STP18N60DM2，让它成为您设计中不可或缺的效能核心，共同创造更节能、更强大的未来。

• 型号:STP18N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP18N60DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。