STP18N60M2

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否仍在为功率器件的开关损耗和热管理问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的解决方案STP18N60M2。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的MDmesh II Plus技术，为您带来前所未有的性能飞跃。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统效率、降低整体成本、并确保长期稳定运行的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、照明镇流器或电机驱动应用中，STP18N60M2正以其600V的坚固耐压和13A的强大电流处理能力，从容应对各种严苛工况。其极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的导通损耗，而优化的栅极电荷（Qg）则显著降低了开关损耗，让您的系统在高效与低温间取得完美平衡。无论是工业自动化设备中需要持续可靠运行的电机，还是消费类电子产品中追求轻薄与安静的电源适配器，这颗芯片都能轻松融入，成为提升产品竞争力的核心动力。

选择STP18N60M2，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。其TO-220封装不仅提供了出色的散热性能和便捷的安装方式，更确保了在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作。这意味着您的设计将拥有更强的环境适应性和更长的使用寿命。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，请务必联系专业的ST芯片代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STP18N60M2成为您下一个成功项目的基石，开启高效、可靠、节能的电力转换新篇章。

• 型号:STP18N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:791 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP18N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。