STP18NM60N

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，您是否还在为高压大电流开关器件的选择而反复权衡？今天，我们为您带来一个集高性能与高性价比于一身的卓越答案STP18NM60N。这款来自意法半导体MDmesh II家族的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压能力和13A的连续漏极电流，为您的高压开关应用树立了新的价值标杆。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统效率、简化散热设计、实现紧凑布局的强大引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动控制板中，STP18NM60N正以其卓越的性能稳定运行。得益于其低至285毫欧的导通电阻（Rds(on)），在传导过程中的能量损耗被大幅降低，这意味着更少的发热和更高的整体能效。无论是家用电器中的高效电源，工业设备中的电机变频驱动，还是照明系统里的LED驱动，这颗芯片都能轻松应对，确保您的终端产品在激烈的市场竞争中凭借出色的可靠性和节能表现脱颖而出。

选择STP18NM60N，就是选择了一份安心与远见。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让驱动电路的设计更为简单高效，有效降低了开关损耗，提升了系统在高频工作下的表现。经典的TO-220AB封装提供了出色的功率耗散能力（高达110W），并兼顾了安装的便利性与良好的散热路径。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作。当您需要可靠的原厂品质和及时的技术支持时，选择一家资深的ST芯片代理合作伙伴至关重要，他们能为您提供从选型到供应的全程保障，让您的创新之旅畅通无阻。

• 型号:STP18NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:285 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP18NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。