STP19NM65N

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为高压开关器件的损耗与散热问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款历经市场验证的经典功率解决方案STP19NM65N。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh II技术家族的杰出代表，专为应对严苛的高压、高频应用挑战而生。其650V的漏源电压和15.5A的连续电流能力，为您构建坚固的功率处理核心提供了坚实基础，让系统在面对电压浪涌和负载波动时依然稳如磐石。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高性能LED照明驱动器中，STP19NM65N正发挥着核心作用。它卓越的开关特性与低导通电阻（Rds(on)低至270毫欧），直接转化为更低的传导损耗和开关损耗，这意味着您的终端产品能效更高，发热更少，系统整体温升得到显著改善。无论是需要长时间连续运行的UPS不同断电源，还是对体积和效率有双重要求的焊接设备电源，这颗芯片都能游刃有余地应对，确保功率级高效、低温、安静地运行。

选择STP19NM65N，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠性与性能保障。其TO-220AB封装不仅提供了优异的散热路径，便于安装散热器，也使其成为工程师们熟悉且信赖的标准选择。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能使其在诸多现有产品和备件市场中依然保有重要地位。当您需要为经典设计寻找可靠、高性能的功率开关时，它无疑是一个经过验证的明智之选。我们作为专业的ST授权代理，能够为您提供关于此型号及其替代方案的专业技术支持和供应链服务，助力您的产品持续成功。

• 型号:STP19NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 7.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP19NM65N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。