STP200NF03

在追求极致效率的电力转换与电机控制领域，您是否还在为开关损耗、散热难题和系统可靠性而困扰？今天，我们为您带来一个性能卓越的解决方案STP200NF03。这款来自意法半导体STripFET III家族的N沟道功率MOSFET，以其颠覆性的低导通电阻和强大的电流处理能力，正在重新定义30V应用场景的性能标杆。想象一下，在您的下一个设计中，开关损耗显著降低，散热压力大幅减轻，整体效率跃升一个台阶，这一切都源于一颗芯片的卓越性能。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具、无人机电调中需要瞬间爆发大电流的电机驱动，甚至是汽车辅助系统里的高效DC-DC转换，STP200NF03都能游刃有余。它高达120A的连续漏极电流和仅3.6毫欧的超低导通电阻，意味着在通过大电流时，其自身产生的热量微乎其微，让您的系统运行更凉爽、更稳定。宽广的-55°C至175°C结温工作范围，更是确保了它在极端环境下依然能保持坚如磐石的性能，为产品全天候可靠运行保驾护航。

选择STP200NF03，不仅仅是选择了一颗参数优秀的MOSFET，更是选择了一套经过市场验证的高可靠性动力方案。其经典的TO-220AB封装，兼顾了优异的散热能力和便捷的装配工艺。虽然该型号已不适用于全新设计，但其成熟稳定的特性，使其成为对成本、性能和供货稳定性有综合考量的升级或特定项目中的理想选择。要获取这颗性能猛兽的正品货源与技术支持，请务必通过官方授权的ST代理进行采购，以确保产品品质与后续服务。让STP200NF03成为您提升产品竞争力、赢得市场的秘密武器，开启高效、可靠的电能控制新篇章。

• 型号:STP200NF03
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:140 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP200NF03的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。