STP200NF04

想象一下，您的电源管理系统需要处理高达120A的持续电流，同时还要将功率损耗降至最低这听起来像是一项艰巨的挑战吗？现在，让我们向您介绍一个已经过市场验证的经典解决方案：STP200NF04。虽然这款产品目前已处于停产状态，但其卓越的性能和可靠性，使其在库存充足的情况下，依然是许多高要求应用的理想选择。它来自意法半导体的STripFET II系列，代表了N沟道功率MOSFET技术的成熟典范。

这颗芯片的真正魅力在于其极低的导通电阻在90A电流和10V驱动电压下，最大值仅为3.7毫欧。这意味着在开关和传导过程中，能量以热量的形式浪费得极少，从而让您的系统运行得更凉爽、更高效。高达310W的功率耗散能力，配合-55°C至175°C的宽广工作温度范围，赋予了它应对严苛环境的非凡韧性。无论是工业电机驱动中需要瞬间提供巨大扭矩，还是服务器电源中要求极高的能效转换，STP200NF04都能稳定担当能量控制的核心角色。

当您为下一个项目选型时，选择STP200NF04不仅仅是选择了一个电子元件，更是选择了一份经过时间考验的安心。TO-220AB的经典封装形式，为通孔安装提供了坚固可靠的物理基础，简化了生产与维修。其40V的漏源电压和±20V的栅极电压容限，为设计提供了充足的安全余量。虽然市面上可能有更新的型号，但这款芯片在特定应用中的性价比和可获得性，使其成为消化库存或延续经典设计的明智之选。如需获取此型号的库存或技术咨询，您可以联系专业的ST代理，他们能为您提供全面的支持。让这颗强大的“能量开关”助您轻松驾驭高电流，释放设备的全部潜能。

• 型号:STP200NF04
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:210 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP200NF04的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。