STP200NF04L

在追求极致效率的电力转换与电机控制领域，您是否还在为开关损耗、散热难题和系统可靠性而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场验证的经典解决方案STP200NF04L。这颗来自ST意法半导体的功率MOSFET，以其卓越的性能和坚固的耐用性，即使在宣布停产后，依然是众多工程师在关键设计中信赖的“老兵”，其价值在持续的应用中不断被印证。

想象一下，在您的大电流DC-DC转换器中，每一次开关都意味着能量的损耗与热量的积累。STP200NF04L的核心魅力在于其惊人的低导通电阻在10V驱动下，仅3.8毫欧的Rds(on)值，意味着当50A电流流过时，它产生的导通损耗微乎其微。这不仅直接提升了整机效率，更大幅降低了散热设计的压力，让您的电源产品在激烈的市场竞争中，凭借更高的能效和更小的体积脱颖而出。其高达120A的连续漏极电流承载能力和300W的功率耗散能力，为高功率密度应用提供了坚实的保障。

无论是驱动工业伺服电机、构建可靠的UPS不间断电源，还是为新能源车的辅助系统提供高效开关，STP200NF04L都能游刃有余。它采用的STripFET II技术，确保了出色的开关性能和坚固性。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）让它能从容应对各种严苛环境，从酷热的车间到寒冷的户外，性能始终稳定如一。选择它，就是为您的产品选择了一份历经考验的可靠性。虽然该型号已停产，但通过可靠的ST代理渠道，您依然可以获得有保障的库存，用于维护现有产品线或完成经典设计，其卓越的性价比和久经考验的表现，使其成为控制成本与追求性能平衡点的智慧之选。

• 型号:STP200NF04L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP200NF04L的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。