STP20NF20

在追求更高能效和更稳定性能的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款既能承受高压大电流，又能保持低损耗的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STP20NF20。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其200V的漏源电压和高达18A的连续漏极电流能力，为您打开了高效功率管理的新大门。它不仅仅是参数表上的数字，更是您产品在激烈市场竞争中脱颖而出的可靠基石。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）设计中，它能够轻松应对AC-DC转换的严苛要求，确保电能高效、稳定地输送。在电机驱动领域，无论是工业风扇还是电动工具，其快速的开关速度和低导通电阻都能显著降低发热，提升整体运行效率与寿命。对于需要高效DC-DC转换的逆变器或UPS系统而言，STP20NF20意味着更小的能量损耗和更紧凑的散热设计，让您的产品在体积和性能上取得完美平衡。其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，更是保证了在极端环境下依然稳定如初。

选择STP20NF20，就是选择了一份来自ST原厂的品质承诺与经过市场验证的可靠性。它采用了先进的STripFET技术，将125毫欧的超低导通电阻与仅为39nC的低栅极电荷完美结合，这意味着更低的开关损耗和驱动需求，让您的系统整体能效大幅提升。经典的TO-220AB封装不仅便于安装和散热，也经过了无数应用的考验。当您需要这样一颗高性能芯片时，请务必通过官方授权的ST中国代理进行采购，以确保获得正品保障、完善的技术支持与稳定的供货渠道，让您的创新之路毫无后顾之忧。

• 型号:STP20NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP20NF20的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。