STP20NM50

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否正在寻找一款能够平衡高耐压、大电流与出色开关特性的功率开关解决方案？今天，我们为您带来一个卓越的答案STP20NM50。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其500V的漏源电压和20A的连续漏极电流能力，天生就是为应对严苛应用而生的强者。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器项目中，STP20NM50能够轻松驾驭主功率级的开关任务。其核心采用的MDmesh技术，是ST的招牌秘籍，它通过优化的单元结构，在相同的芯片面积下实现了更低的导通电阻。这意味着什么？意味着更低的传导损耗，更少的发热，以及最终呈现给用户的更高系统效率。当您的设备在满负荷运行时，这颗芯片能保持冷静与高效，将更多电能转化为有效输出，而不是浪费在发热上。这正是现代绿色能源和高效设备所追求的核心价值。

选择STP20NM50，就是选择了一份安心与前瞻性。其高达192W的功率耗散能力与宽广的-65°C至150°C结温工作范围，赋予了产品无与伦比的鲁棒性和环境适应性，无论是工业现场的持续高温，还是户外设备的严寒挑战，它都能稳定运行。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，让驱动电路设计更为轻松，有助于实现更高的开关频率，从而缩小磁性元件的体积，助力您的产品向更小、更轻、更紧凑的方向进化。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，请务必联系我们的ST中国代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。

归根结底，在功率转换的世界里，细节决定成败。STP20NM50以其卓越的电气性能、坚固的物理封装和源自ST的卓越品质，为您提供了一个经得起时间考验的解决方案。它不仅仅是在完成一次开关动作，更是在为您的产品注入高效、可靠与持久的生命力。立即将它纳入您的设计，亲身体验它如何将复杂的功率挑战，转化为简洁而强大的性能优势。

• 型号:STP20NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP20NM50的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。