STP20NM50FD

当您需要一款能同时兼顾高功率密度与卓越效率的功率开关解决方案时，是否常常感到选择困难？现在，答案变得前所未有的清晰。我们隆重向您介绍意法半导体FDmesh系列中的明星产品STP20NM50FD。这款N沟道MOSFET以其500V的耐压能力和高达20A的连续漏极电流，为您的高压应用带来了坚固可靠的心脏。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体能效、实现设计小型化的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动设计中，STP20NM50FD正以其卓越的性能默默工作。得益于其先进的FDmesh技术，它在导通时阻抗极低，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费掉。无论是工业变频器、UPS不同断电源，还是电焊机、照明镇流器，这颗芯片都能轻松应对严苛的高压、大电流环境，确保您的终端产品运行更稳定、寿命更长久。选择它，就是为您的设备选择了一颗强劲而高效的动力核心。

那么，在众多同类产品中，为何STP20NM50FD能脱颖而出？其核心优势在于精妙的平衡艺术。它拥有低至250毫欧的导通电阻，直接转化为更低的导通损耗和更高的效率。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速的开关速度，减少了开关损耗，让您的系统在高频下也能游刃有余。从-65°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它无与伦比的环境适应性。无论是追求极致效率的绿色能源方案，还是要求严苛可靠性的工业控制，它都是您不容错过的选择。如需获取官方正品与技术支援，请务必通过授权的ST代理进行采购，为您的项目成功保驾护航。

• 型号:STP20NM50FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1380 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP20NM50FD的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。