STP20NM50FP

当您需要一款能在高压环境下稳定输出强劲动力的功率开关时，您会如何选择？答案或许就藏在STP20NM50FP这颗经典的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您构建高效、可靠电源系统的坚实基石。源自ST意法半导体备受赞誉的MDmesh技术平台，这颗芯片在550V的高压领域展现了非凡的统治力，高达20A的连续漏极电流承载能力，意味着它能轻松应对严苛的功率转换任务，将能量损耗降至最低，把系统效率推向新的高度。

想象一下，在您设计的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是电机驱动控制板中，STP20NM50FP正扮演着核心的开关角色。它卓越的快速开关特性和低导通电阻（Rds(on)），确保了能量在转换过程中的流畅与精准，无论是驱动工业设备中的马达，还是为消费类电子提供纯净的直流电源，它都能让您的产品运行得更安静、更凉爽、更持久。其宽广的工作温度范围（-65°C至150°C）和坚固的TO-220FP封装，更是为产品在复杂环境下的长期稳定运行提供了双重保障。

那么，在众多功率器件中，为何独独青睐它？关键在于其带来的综合价值远超一个简单的参数表。选择STP20NM50FP，意味着您选择了经过市场长期验证的可靠性和由ST强大技术背景支撑的性能一致性。虽然该型号已停产，但其成熟的设计和广泛的成功应用案例，使其成为许多经典方案和备品替换的优选。对于正在寻找稳定货源和专业技术支持的工程师，联系值得信赖的ST中国代理，是获取这颗优质芯片并获取相关替代或库存信息的高效途径。它代表的是一种以稳健性能驱动创新的设计哲学，助力您的项目在效率与可靠性上赢得关键优势。

• 型号:STP20NM50FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP20NM50FP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。