STP20NM65N

当您的电源设计面临效率瓶颈与散热挑战时，是否曾渴望一颗能同时兼顾高耐压、低损耗与坚固可靠性的功率开关解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重向您介绍意法半导体MDmesh II系列中的明星产品STP20NM65N。这颗650V耐压、15A电流能力的N沟道MOSFET，专为应对严苛的高压环境而生，其卓越的性能表现将彻底改变您对功率转换效率的认知。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或太阳能逆变器等关键应用中，系统需要稳定处理数百伏的电压，同时承载可观的电流。STP20NM65N正是为此类场景量身打造。它采用先进的MDmesh II技术，在相同的芯片面积下，实现了更低的导通电阻（Rds(on)），这意味着在导通状态时，电能损耗被大幅降低，宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非令人头疼的热量。这不仅直接提升了整机效率，满足日益严格的能效标准，更让您的散热设计变得更为轻松，系统可靠性获得质的飞跃。

选择STP20NM65N，就是选择了一份从容与保障。其高达150°C的结温工作能力，赋予了产品强大的过载耐受性，确保在波动的工作环境中依然稳定运行。经典的TO-220封装，兼顾了优异的功率耗散能力（125W）与业界通用的安装便利性，极大简化了您的生产与维护流程。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、久经市场验证的可靠性，以及通过正规ST代理渠道仍可获取的库存与替代方案支持，使其成为许多经典设计升级或长期维护项目的明智之选。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、赢得客户信赖的坚实基石。

将STP20NM65N融入您的下一个设计，您收获的将不仅是参数表上冰冷的数字，而是更凉爽的系统、更高的能源利用率以及更长的产品生命周期。让这颗凝聚了意法半导体尖端技术的功率器件，为您的创意注入高效可靠的动力，共同开启绿色能源与工业自动化的新篇章。

• 型号:STP20NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1280 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP20NM65N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。