STP210N75F6

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为寻找一颗既能承载大电流，又能将导通损耗降至最低的功率开关而反复权衡？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越答案STP210N75F6。这颗源自意法半导体先进STripFET VI技术的N沟道MOSFET，以其高达120A的连续漏极电流和低至3.7毫欧的导通电阻，重新定义了75V电压等级下的性能标杆。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统整体效率、降低热管理复杂度的关键赋能者。

想象一下，在服务器电源、高性能工业电机驱动或高功率DC-DC转换器的核心位置，STP210N75F6正稳定高效地工作着。其卓越的DeepGATE技术确保了在高压大电流工况下的坚固性与快速开关性能，有效减少了开关损耗，让您的电源设计在满负荷运行时依然保持“冷静”。无论是应对工业环境中的严苛挑战，还是满足数据中心对能效的极致追求，它都能提供坚实的性能保障，将电能更纯净、更高效地传递到每一个需要它的角落。

选择STP210N75F6，意味着您选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。其TO-220封装提供了优异的散热能力和便捷的安装方式，而宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）则赋予了产品无与伦比的环境适应性。虽然该型号已进入停产状态，但通过正规的ST授权代理渠道，您依然可以获取可靠的库存或替代方案支持，确保项目供应链的稳定与安全。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次为产品长期竞争力所做的明智投资。

• 型号:STP210N75F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:171 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP210N75F6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。