STP21N90K5

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否正在寻找一款能够同时驾驭高电压与大电流，且保持超低损耗的功率开关解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体SuperMESH5家族的明星产品STP21N90K5。这颗900V耐压、18.5A电流能力的N沟道MOSFET，不仅仅是参数的堆砌，更是对高效、稳定与耐用的重新定义。它采用先进的第五代SuperMESH技术，将导通电阻（RDS(on)）降至惊人的299毫欧，这意味着在您的高功率应用中，它能将更多的电能转化为有效输出，而非无谓的热量，直接为您带来更低的系统温升和更高的整体效率。

无论是工业电机驱动、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS），还是电焊机、光伏逆变器等严苛环境，STP21N90K5都能游刃有余。其高达900V的漏源击穿电压，提供了充裕的电压裕量，轻松应对电网波动和感性负载关断时产生的电压尖峰，确保系统长期稳定运行，无惧挑战。在TO-220经典的封装下，它集成了强大的散热能力，结合高达250W的功率耗散，让您的设计在满负荷运行时依然从容不迫，大幅延长设备的使用寿命。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起时间考验的可靠性保障。

为何众多领先制造商在关键项目中都信赖STP21N90K5？因为它的价值超越单一元件本身。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，意味着它开关速度更快，驱动更简单，能有效降低开关损耗，提升系统频率，从而允许您使用更小的磁性元件，优化整体方案的成本与体积。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，让它能适应从寒带到热带的全球各种气候环境。当您需要稳定、优质的货源和技术支持时，请认准官方授权的ST一级代理，他们不仅能提供正品保障，更能为您带来从选型到应用的全方位服务。立即采用STP21N90K5，让它成为您下一代高性能电源与驱动设计的强大心脏，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:STP21N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1645 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP21N90K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。