STP21NM50N

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要控制成本与空间时，什么样的功率器件才能成为您的理想选择？答案或许就藏在STP21NM50N这颗性能卓越的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统可靠性、优化能源效率的关键伙伴，承载着意法半导体MDmesh II技术的深厚积淀，专为应对严苛的功率转换挑战而生。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)或是高功率LED照明驱动器中，系统需要处理高达500V的电压和18A的连续电流。这正是STP21NM50N大显身手的舞台。其出色的高压耐受能力和低至190毫欧的导通电阻，意味着在能量转换过程中，由器件本身产生的热量和损耗被大幅降低，从而让您的设备运行更凉爽、更持久。无论是面对频繁的开关动作，还是持续的高负载运行，它都能提供稳定可靠的性能表现，确保您的终端产品在激烈的市场竞争中赢得用户信赖。

选择STP21NM50N，就是选择了一份经过验证的品质与性能保障。其TO-220AB封装不仅提供了优异的散热能力，支持高达140W的功率耗散，也兼顾了通孔安装的便利性与坚固性。对于追求高性价比和长期稳定供货的设计师而言，通过值得信赖的ST代理商进行采购，是确保获得正品并获取专业技术支持的最佳途径。这颗芯片所代表的，是意法半导体对高性能功率解决方案的不懈追求，它将帮助您轻松跨越设计瓶颈，打造出更高效、更紧凑、更具竞争力的新一代电力电子设备，让创新想法更快地转化为市场成功。

• 型号:STP21NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP21NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。