STP21NM60ND

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率开关器件的性能瓶颈而困扰？当面对600V高压应用时，选择一颗既能承受高电压、大电流，又能保持低损耗和快速响应的MOSFET，往往是决定产品成败的关键。今天，我们向您隆重介绍意法半导体FDmesh II系列中的一颗经典功率器件STP21NM60ND。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统整体性能、实现设计目标的强大引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动应用中，STP21NM60ND能够轻松应对600V的漏源电压和高达17A的连续电流。其核心价值在于FDmesh II超结技术带来的革命性低导通电阻在10V驱动下，仅220毫欧的最大值，这意味着更低的传导损耗，更多的电能被高效利用而非转化为热量。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，减少了开关损耗，让您的系统在更高频率下稳定运行，同时显著提升整体能效。高达140W的功率耗散能力和150°C的结温，赋予了它卓越的散热性能和坚固的可靠性，即使在严苛的工作环境下也能游刃有余。

这颗芯片的价值，在工业电源、家用电器、照明驱动以及不间断电源（UPS）等广泛场景中得以充分释放。无论是驱动一台高效能的变频空调压缩机，还是为数据中心提供稳定可靠的服务器电源，STP21NM60ND都能以其稳定的性能和出色的能效比，成为您设计中的可靠基石。其经典的TO-220AB通孔封装，兼顾了优异的散热能力和成熟的安装工艺，方便工程师进行系统集成与散热管理。

选择STP21NM60ND，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它源自全球半导体领导者意法半导体，其FDmesh II技术代表了行业先进的功率处理水平。虽然该型号目前已停产，但其卓越的性能指标和广泛的应用基础，使其在特定库存和替代方案讨论中依然具有重要参考价值。对于正在寻找高性能、高可靠性功率解决方案的您，通过与专业的ST中国代理沟通，可以获取关于此型号库存、替代升级型号（如FDmesh II的后续系列）以及完整技术支持的精准信息，确保您的项目供应链稳定、技术路线清晰。让STP21NM60ND所代表的强大功率处理能力和高效理念，继续为您的创新产品注入强劲动力。

• 型号:STP21NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP21NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。