STP22N60DM6

在追求更高能效与可靠性的功率转换设计中，您是否仍在为开关损耗与系统温升而困扰？现在，让我们向您介绍一个卓越的解决方案STP22N60DM6。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其先进的MDmesh M6技术，将600V的耐压能力与仅为240毫欧的低导通电阻完美结合，为您带来前所未有的效率提升和散热简化。它不仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键钥匙。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或太阳能逆变器等严苛的应用场景中，STP22N60DM6能够稳定承载高达15A的连续电流。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统在高频下运行依然冷静高效。无论是应对频繁启停的电机控制，还是需要持续稳定输出的功率因数校正（PFC）电路，它都能游刃有余，确保能量以最小的损耗进行转换和传递。

选择STP22N60DM6，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。其TO-220封装提供了出色的功率耗散能力（高达130W），结合宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保了在恶劣环境下的长期稳定运行。这意味着更长的产品寿命、更低的故障率和更高的客户满意度。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，可以通过官方授权的ST代理进行采购，获得从选型到量产的全方位保障。让STP22N60DM6成为您下一个成功设计的强大心脏，驱动创新，赢在未来。

• 型号:STP22N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:240 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP22N60DM6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。