STP23N80K5

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和热管理问题而困扰？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STP23N80K5。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其800V的漏源电压和16A的连续漏极电流能力，正重新定义中高功率应用的性能标准。它不仅仅是又一个组件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源充电桩的核心电路中，STP23N80K5正稳定高效地工作着。它隶属于先进的MDmesh K5产品家族，这项技术专为优化开关性能而生。其超低的导通电阻（仅280毫欧）和优化的栅极电荷（33nC）相结合，意味着更少的导通损耗和更快的开关速度。这直接转化为更低的系统温升和更高的整体效率，让您的设备在长时间高负荷运行下依然保持冷静与可靠，有效延长使用寿命并降低散热成本。

选择STP23N80K5，就是选择了一份经得起考验的卓越与安心。TO-220-3的经典封装提供了出色的通孔安装便利性和散热能力，支持高达190W的功率耗散。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种严苛环境下的稳定表现。无论是用于PFC电路、LLC谐振转换器，还是逆变器桥臂，它都能游刃有余，帮助您轻松应对800V高压平台的设计挑战。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的ST一级代理身份能确保您获得正品保障与快速响应，让您的项目从设计到量产一路畅通。

• 型号:STP23N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 16A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP23N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。