STP23NM60N

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和系统发热问题而烦恼？今天，我们为您带来一个经久考验的解决方案STP23NM60N。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其600V的耐压能力和19A的连续电流，早已在众多严苛应用中证明了其卓越的可靠性。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体效率、降低运营成本的得力助手。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）设计中，无论是服务器电源、工业电源还是PC电源，快速而干净的开关动作至关重要。STP23NM60N采用的MDmesh II技术，正是为此而生。它通过优化的单元结构，显著降低了导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压下，典型值仅为180毫欧。这意味着在传导过程中，能量以热的形式耗散得更少，更多的电能被有效传递。同时，其优化的栅极电荷（Qg）和电容特性，确保了开关速度快、驱动简单，从而大幅削减了开关损耗。当您将它应用于电机驱动、照明镇流器或PFC（功率因数校正）电路时，它能轻松应对频繁的开关动作，让系统运行更凉爽、更安静，寿命也得以延长。

选择STP23NM60N，就是选择了一份安心与高效。其经典的TO-220AB封装，提供了出色的散热能力和便捷的安装方式，最大结温高达150°C，赋予了设计充足的余量。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的市场验证，使其成为存量项目维护、经典设计升级或特定高可靠性需求场景下的明星选择。为了确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购。让这颗凝聚了ST尖端Mesh技术的功率器件，为您的下一个能源转换项目注入强劲而高效的动力，助您在激烈的市场竞争中赢得先机。

• 型号:STP23NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP23NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。