STP240N10F7

当您的电源转换系统面临效率瓶颈，或是在高功率密度设计中苦苦寻求更可靠的开关解决方案时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电流与低损耗的“心脏”？答案或许就藏在STP240N10F7之中。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的性能参数，正重新定义着100V电压等级下的功率处理标准。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、大功率DC-DC转换器乃至新能源车车载充电机(OBC)等严苛的应用场景中，电流高达180A，开关损耗和导通损耗是系统效率的隐形杀手。STP240N10F7凭借其革命性的STripFET VII技术和DeepGATE结构，将导通电阻(Rds(on))降至惊人的3.2毫欧（@60A, 10V）。这意味着在相同的电流下，芯片自身产生的热量大幅减少，让您的系统运行得更“冷静”，更持久。极低的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)，则确保了快速、干净的开关动作，显著降低了开关损耗，让高频高效运行成为可能，直接助力您的终端产品在能效指标上脱颖而出。

选择STP240N10F7，就是选择了一份从容与保障。其高达300W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C结温工作范围，赋予了它无与伦比的鲁棒性，能够轻松应对各种恶劣环境与突发过载的挑战。经典的TO-220封装兼顾了优异的散热性能与成熟的工艺兼容性，让您的生产导入与散热设计事半功倍。当您需要稳定可靠的供货与专业的技术支持时，寻找一家资深的ST芯片代理合作伙伴至关重要，他们能确保这颗高性能芯片的价值在您的设计中得到完美释放。从提升效率到增强可靠性，从简化设计到加速上市，STP240N10F7是您在高性能功率应用中不容错过的明智之选。

• 型号:STP240N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:176 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP240N10F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。