STP24N60DM2

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和热管理问题而困扰？今天，让我们聚焦一颗在600V高压应用中表现卓越的功率开关解决方案STP24N60DM2。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体FDmesh II Plus技术家族的杰出代表，专为应对严苛的高压、高频开关挑战而生。其200毫欧的超低导通电阻（Rds(on)）与仅29nC的低栅极电荷（Qg）形成了完美组合，这意味着更低的传导损耗和更快的开关速度，直接为您带来系统整体效率的显著提升和温升的有效控制，让能量转换过程更加“冷静”且高效。

这颗芯片的强大实力，在诸多主流应用场景中得以充分释放。无论是服务器电源、工业电机驱动、光伏逆变器，还是UPS不间断电源和电焊机，STP24N60DM2都能游刃有余。它高达18A的连续漏极电流和600V的漏源电压额定值，提供了充裕的功率处理余量，确保系统在满载甚至过载条件下依然稳定可靠。其优化的动态特性，使得在硬开关和软开关拓扑中都能实现平滑的开关波形，有效减少电压尖峰和电磁干扰（EMI），简化您的滤波电路设计，加速产品上市进程。

选择STP24N60DM2，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。意法半导体深厚的工艺积累，赋予了这款器件卓越的坚固性和长期可靠性，其工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应从严寒到酷热的各类恶劣环境。经典的TO-220封装不仅便于安装和散热，也意味着成熟的供应链和更优的成本效益。当您需要稳定可靠的供货和技术支持时，可以随时联系我们的ST芯片代理团队，我们将为您提供从选型到量产的全方位服务。立即将STP24N60DM2纳入您的下一代设计，亲身体验它如何以更低的损耗、更强的鲁棒性和更高的功率密度，为您的产品注入核心竞争优势，赢得市场先机。

• 型号:STP24N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:200 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1055 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP24N60DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。