STP24N60M2

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与大电流，且保持冷静与高效的“心脏”？这正是STP24N60M2诞生的使命。作为ST意法半导体MDmesh II Plus家族的明星成员，它不仅仅是一个参数，更是性能与价值的承诺。其600V的漏源电压和18A的连续漏极电流，为您构建坚固的电力防线，而低至190毫欧的导通电阻，则意味着更少的能量在转换中化为热量，直接转化为系统效率的显著提升和散热成本的降低。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或高功率LED照明驱动这些严苛的应用场景中，稳定与高效是生命线。STP24N60M2凭借其优异的动态特性，如优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），能够实现更快的开关速度，减少开关损耗，让您的系统响应更敏捷，运行更平稳。无论是在-55°C的严寒还是150°C的酷热（TJ）环境下，它都能坚守岗位，确保您的设备全天候可靠运行。选择它，就是为您的产品注入一颗经久耐用的“强芯”。

那么，在众多MOSFET中为何独选它？答案在于其无与伦比的综合价值。MDmesh II Plus技术带来了导通电阻与栅极电荷的完美平衡，这意味着您无需在效率与开关性能之间艰难取舍。TO-220的经典封装形式，兼顾了优异的散热能力与广泛的兼容性，让升级或设计变得轻松。更重要的是，通过值得信赖的ST代理渠道，您不仅能获得正品保障和稳定的供货，还能获得专业的技术支持，让从选型到量产的每一步都充满信心。选择STP24N60M2，不仅是选择一个元器件，更是选择了一个提升产品竞争力、降低总拥有成本的战略伙伴。

• 型号:STP24N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP24N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。