STP24N60M6

当您的下一个电源设计项目面临效率与可靠性的双重挑战时，您是否在寻找一颗能同时驾驭高电压与高功率的“心脏”？答案或许就藏在STP24N60M6之中。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其高达600V的漏源电压和17A的连续漏极电流能力，为您的高要求应用场景注入澎湃而稳定的动力。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效、缩小体积并增强耐用性的关键伙伴。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）或高效照明镇流器的核心电路中，每一次开关动作都关乎整体系统的能耗与寿命。STP24N60M6凭借其先进的MDmesh M6技术平台，实现了极低的导通电阻和出色的开关性能。这意味着在传导和开关过程中，能量损耗被大幅削减，热量产生更少，从而让您的设备运行得更凉爽、更持久。无论是应对严苛的工业环境，还是追求极致的家用电器能效，它都能游刃有余地成为您设计的坚实后盾。

选择STP24N60M6，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其经典的TO-220封装提供了优异的散热能力和便捷的通孔安装方式，极大简化了您的生产流程并提升了热管理可靠性。更重要的是，当您通过值得信赖的ST授权代理进行采购时，您获得的不仅是正品保障和稳定的供货，还有专业的技术支持与供应链服务，确保您的项目从研发到量产一路畅通。在竞争激烈的市场中，一个可靠的核心元件和一个可靠的供应伙伴，共同构成了您产品成功不可或缺的基石。让STP24N60M6为您点亮创意，驱动未来。

• 型号:STP24N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP24N60M6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。