STP24N65M2

在追求更高能效和更紧凑设计的电源方案中，您是否曾为功率器件的开关损耗和散热问题所困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的解决方案STP24N65M2。这款来自ST意法半导体的高性能MOSFET，凭借其MDmesh M2技术的卓越基因，将650V的耐压能力与极低的导通电阻完美结合，为您带来前所未有的效率提升和设计自由度。它不仅仅是一个开关，更是您实现产品性能飞跃的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高功率LED照明这些要求严苛的应用场景中，STP24N65M2能够稳定可靠地工作。其高达16A的连续漏极电流和150W的强大功率处理能力，确保系统在重载下依然从容不迫。TO-220的经典封装不仅提供了优异的散热路径，也让生产组装变得轻松便捷。当您的设计需要在效率和可靠性之间取得最佳平衡时，这颗芯片就是您最值得信赖的伙伴。

选择STP24N65M2，意味着您选择了一个经过市场验证的成熟平台。尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的适用性使其在库存和替代方案中依然极具价值。对于寻求高性价比、高性能库存解决方案的工程师而言，它提供了难得的机会。通过可靠的ST代理渠道，您依然可以获取这款经典器件，为您的现有产品维护或特定项目注入强劲动力。它用实实在在的参数低至230毫欧的导通电阻、仅29nC的栅极电荷告诉您，何为以更少的损耗，传递更多的能量。

• 型号:STP24N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 16A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:230 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP24N65M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。