STP24NF10

在追求极致效率的电力转换与电机控制领域，您是否还在为开关损耗、散热瓶颈和系统可靠性而烦恼？今天，我们为您带来一个能够彻底改变游戏规则的解决方案STP24NF10。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的STripFET II技术，将高性能与高可靠性完美融合，是工程师应对严苛应用挑战的得力武器。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）中，它能够以极低的导通电阻（仅60毫欧）承载高达26A的连续电流，显著降低传导损耗，让电源效率轻松突破新高。在电机驱动或逆变器电路中，其快速的开关特性和优异的栅极电荷管理，确保了精准、高效的PWM控制，让电机运行更平稳、响应更迅捷。无论是工业自动化设备中的伺服驱动，还是新能源领域的光伏逆变器，甚至是高要求的汽车电子辅助系统，STP24NF10都能游刃有余，在-55°C至175°C的宽广结温范围内稳定工作，赋予您的产品无与伦比的环境适应性和长久的使用寿命。

选择STP24NF10，不仅仅是选择了一颗参数优秀的MOSFET，更是选择了一份由全球半导体领袖ST意法半导体提供的品质承诺。其经典的TO-220AB封装兼顾了优异的散热能力和便捷的安装工艺，85W的功率耗散能力让热设计更加从容。这意味着您的产品能以更小的体积、更低的温升，实现更大的功率输出，从而在市场竞争中占据先机。为了让您更便捷地获得这款明星产品，我们推荐您通过值得信赖的ST中国代理进行采购，确保您获得原装正品与及时的技术支持，让创新之路畅通无阻。

• 型号:STP24NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 26A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP24NF10的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。