STP25N60M2-EP

想象一下，当您的电源系统需要在严苛环境下保持稳定输出，同时还要兼顾效率与成本时，您会选择什么样的功率器件？答案或许就藏在STP25N60M2-EP这颗强大的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是意法半导体MDmesh M2-EP系列的一员，更是工程师应对高压、高功率挑战的得力伙伴。凭借其高达600V的漏源电压和18A的连续漏极电流能力，它为您提供了坚实的性能基础，让系统设计从一开始就站在了高可靠性的起点上。

无论是工业电机驱动、开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)，还是电焊机、照明镇流器等应用，STP25N60M2-EP都能游刃有余。它卓越的开关性能和低导通电阻（典型值仅188毫欧），意味着在能量转换过程中损耗更小，系统整体效率得以显著提升。这不仅直接降低了运行时的发热和能耗，也为您的终端产品赢得了更长的使用寿命和更佳的市场竞争力。在追求绿色节能的今天，选择这样一颗高效的芯片，就是为您的产品注入了可持续发展的基因。

那么，为什么众多设计者最终将信任票投给了它？首先，其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在极端气候或高负荷工况下的稳定运行，大大提升了系统的环境适应性和鲁棒性。其次，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得驱动设计更为简单高效，有助于缩短开发周期并降低周边元件成本。最后，作为ST意法半导体的明星产品，其品质和供货稳定性拥有全球性的保障。当您通过正规的ST授权代理进行采购时，不仅能获得原厂正品和技术支持，还能确保供应链的顺畅与安全，让您的项目推进再无后顾之忧。选择STP25N60M2-EP，就是选择了一份经得起考验的性能承诺与长期价值。

• 型号:STP25N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:188 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP25N60M2-EP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。