STP26N60DM6

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够将600V高压、18A大电流与超低导通电阻完美结合的功率器件，将如何彻底改变您的产品性能格局？这正是STP26N60DM6所带来的核心价值。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh DM6系列技术的结晶，专为应对苛刻的高压、高频应用挑战而生。其195毫欧的超低导通电阻，意味着在相同的电流下，产生的热量更少，电能转换效率显著提升，让您的系统运行得更冷静、更持久。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和太阳能逆变器，STP26N60DM6都能游刃有余。它高达130W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了在极端环境下的卓越可靠性与稳定性。当您需要构建一个高效、紧凑且鲁棒性强的功率转换核心时，这颗芯片提供的不仅仅是参数上的优势，更是一种让设计化繁为简的信心。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，能有效降低开关损耗，简化驱动电路设计，从而帮助您缩短开发周期，加速产品上市。

选择STP26N60DM6，就是选择了一个经过市场验证的高性能解决方案。它继承了意法半导体在功率半导体领域的深厚积淀，MDmesh DM6技术确保了更优的开关性能与导通损耗的平衡。经典的TO-220封装兼顾了优异的散热性能和安装便利性，是工程师信赖的成熟选择。当您寻求可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，可以信赖专业的ST中国代理，他们能为您提供从选型到量产的全方位服务。让STP26N60DM6成为您下一代高性能电源和电机驱动产品的强大心脏，释放无限潜能，赢得市场竞争的先机。

• 型号:STP26N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:195 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP26N60DM6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。