STP26N65DM2

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率开关器件的性能瓶颈而困扰？当系统需要处理650V高压、20A大电流时，传统的MOSFET往往在导通损耗、开关速度和热管理之间难以平衡。现在，这一切有了更优解来自ST意法半导体MDmesh DM2系列的明星产品STP26N65DM2，正以其卓越的性能重新定义高压应用的能效标准。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源充电桩的核心电路中，每一次开关都伴随着能量的损耗与热量的产生。STP26N65DM2凭借其创新的MDmesh DM2技术，将导通电阻（RDS(on)）在10V驱动下显著降低至仅190毫欧。这意味着在相同的电流条件下，芯片自身的功耗大幅减少，更多的电能被高效地输送到负载端，而非转化为无谓的热量。这不仅直接提升了整机效率，更让您的散热设计变得更为轻松，系统可靠性获得质的飞跃。其高达170W的功率耗散能力，配合TO-220封装优秀的导热特性，确保即使在严苛的工况下也能稳定运行。

选择STP26N65DM2，就是选择了一份从容与信心。它不仅仅是一个参数出色的晶体管，更是ST意法半导体深厚技术积淀的体现。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使得开关速度更快，驱动电路的设计更简化，能有效减少开关损耗，尤其适合高频开关电源应用。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）让它能从容应对户外设备、工业自动化等极端环境挑战。当您需要可靠的原厂品质与稳定的供货保障时，通过官方授权的ST代理进行采购，无疑是确保产品正品与获得完善技术支持的最佳途径。让STP26N65DM2成为您下一代高性能电源与驱动设计的强大心脏，助力您的产品在能效竞赛中脱颖而出，赢得市场先机。

• 型号:STP26N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP26N65DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。