STP26NM60ND

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，工程师们是否常常面临这样的挑战：如何在有限的预算内，找到一款既能承受高压大电流冲击，又能保持低损耗和出色热性能的功率开关器件？今天，我们为您带来一个经过市场长期验证的卓越答案STP26NM60ND。这款来自意法半导体FDmesh II家族的N沟道MOSFET，以其600V的耐压和21A的连续电流能力，为您的电源和电机驱动应用筑起了一道坚固的性能防线。它不仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、实现设计目标的得力伙伴。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是工业电机驱动器中，STP26NM60ND正稳定地工作着。其核心优势在于FDmesh II超结技术，这项技术革命性地降低了导通电阻（Rds(on)），在10.5A、10V条件下最大值仅为175毫欧。这意味着更低的导通损耗，电能得以更高效地转换，直接转化为更低的运行温度和更高的系统整体效率。对于注重能效和散热设计的应用而言，这无疑是巨大的价值提升。同时，高达190W（Tc）的功率耗散能力和150°C的结温，赋予了它卓越的鲁棒性和热稳定性，即使在严苛环境下也能持久可靠运行。

选择STP26NM60ND，就是选择了一份经过时间考验的安心。它采用经典的TO-220通孔封装，便于安装和散热处理，非常适合那些对可靠性和散热有高要求的工业级和消费级产品。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的市场应用基础，使其在升级换代或特定项目设计中依然极具吸引力。为了确保您能获得正品货源和可靠的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理进行采购。这不仅能保障芯片的纯正血统与质量，还能为您后续的设计与生产提供坚实的供应链后盾。让STP26NM60ND以其久经沙场的稳定表现，助力您的产品在市场中脱颖而出，赢得持久信赖。

• 型号:STP26NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:175 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1817 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP26NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。