STP27N60M2-EP

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，您是否还在为开关损耗与系统稳定性而反复权衡？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出意法半导体MDmesh M2-EP系列中的明星产品STP27N60M2-EP。这颗N沟道功率MOSFET以其600V的卓越耐压能力和高达20A的连续漏极电流，为您构建了一个坚固而高效的电力核心。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品性能、降低整体能耗、并赢得市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至高要求的照明镇流器等应用场景中，每一次开关动作都伴随着能量的精准控制与极低的损耗。STP27N60M2-EP正是为此而生。其MDmesh M2-EP技术平台，通过优化的单元结构和先进的工艺，实现了导通电阻（RDS(on)）与栅极电荷（Qg）之间的完美平衡。这意味着在高速开关时，您既能获得更低的传导损耗，又能有效控制开关损耗和驱动需求，让整个系统运行得更凉爽、更安静、寿命更长久。其宽泛的-55°C至150°C结温工作范围，更是为严苛的工业环境提供了坚实的保障。

选择STP27N60M2-EP，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与卓越性能。它采用经典的TO-220封装，易于安装和散热管理，最大170W的功率耗散能力让设计游刃有余。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用基础，使其在存量市场与特定升级项目中依然极具价值。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理进行咨询与采购。让这颗凝聚了意法半导体尖端技术的功率器件，成为您下一个成功产品的强大心脏，助您轻松应对能效挑战，在激烈的市场中脱颖而出。

• 型号:STP27N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:163 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP27N60M2-EP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。