STP28N60M2

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和系统稳定性而烦恼？现在，答案来了。我们隆重向您介绍STP28N60M2，这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，正是为破解这些难题而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计飞跃的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器中，一颗芯片需要承受高达600V的电压，同时流畅地处理24A的连续电流。这正是STP28N60M2的舞台。它采用了ST引以为傲的MDmesh II Plus技术，这项技术如同在芯片内部构建了高效的高速公路网络，将导通电阻（Rds(on)）显著降低。这意味着在相同的电流下，芯片自身的发热更少，能量损耗大幅下降，直接为您带来更高的系统整体效率。更低的损耗不仅意味着更节能，也意味着更低的温升和更高的长期可靠性，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

无论是工业级变频器需要应对严苛环境，还是消费类适配器追求极致的紧凑与安静，STP28N60M2都能完美胜任。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让驱动电路的设计变得前所未有的轻松。开关速度更快，开关损耗更低，您甚至可以简化散热设计，从而节省宝贵的空间与物料成本。高达170W的功率耗散能力，配合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，赋予了它无与伦比的鲁棒性，确保您的设备从寒带到赤道，从启动到满载，都能稳定如一。

选择STP28N60M2，就是选择了一份由顶尖技术与卓越品质背书的信心。它采用经典的TO-220封装，易于安装和散热，极大地方便了您的生产与维护。更重要的是，当您通过正规的ST授权代理渠道获取这颗芯片时，您获得的不仅是原装正品的保证，更是完整的技术支持、稳定的供货链和可靠的质量追溯体系。这为您项目的顺利推进和产品的长期市场成功，奠定了最坚实的基础。让STP28N60M2成为您下一个成功设计的核心动力，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STP28N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP28N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。